LED 波长的决定因素

LED(发光二极管)的发光波长主要由其半导体材料的物理特性决定,具体包括以下关键因素:

  1. 半导体材料的能带结构
    LED 的核心是半导体 PN 结,其发光波长由材料的禁带宽度(Eg)决定。禁带宽度越窄, 发光波长越长(如红光);禁带宽度越宽,波长越短(如蓝光)。
    例如: o 氮化镓(GaN)的禁带宽度较大,发出蓝光(~450nm); o 磷化铟镓(InGaP)的禁带宽度较小,发出红光(~620nm)。
  2. 掺杂与材料配比
    通过调整半导体中掺杂元素的比例(如 InGaN 中铟(In)的含量),可精确控制发光波长。
    例如:InGaN 中 In 含量增加会导致波长从蓝光向绿光偏移。
  3. 量子阱结构
    量子阱通过限制电子和空穴的运动,进一步调控能级和发光波长,常用于高精度波长设计。
  4. 温度影响
    温度升高会导致半导体禁带宽度减小,发光波长红移(如蓝光 LED 在高温下可能偏绿)。
  5. 工作电压与电流
    导通电压与波长直接相关:波长越短(如紫外光),所需电压越高(通常 3V 以上);波 长越长(如红外光),电压越低(约 1.3V)。
  6. 荧光粉(白光 LED)
    白光 LED 通常由蓝光芯片激发荧光粉(如 YAG 荧光粉)产生,荧光粉的配比影响最终色温。

其他注意事项

功率无关性:LED 波长由材料决定,与功率无关(10W LED 的波长仍取决于芯片材料)。
波长范围限制:常规 LED 波长在 380-780nm(可见光),1100nm 以上的红外 LED 需特殊 材料(如砷化镓)。

典型材料与波长对应表

材料 波长范围(nm) 颜色
GaN 450-470 蓝光
InGaN 500-550 绿光
InGaP 600-650 红光
AlGaAs 700-900 红外光